ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-7TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.31 | Dhs. 11.31 |
| 15+ | Dhs. 10.96 | Dhs. 164.40 |
| 25+ | Dhs. 10.72 | Dhs. 268.00 |
| 50+ | Dhs. 10.12 | Dhs. 506.00 |
| 100+ | Dhs. 8.93 | Dhs. 893.00 |
| N+ | Dhs. 1.79 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 4M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 86-TSOP II |
| RoHS |  |
IS42S32400F-7TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit
La mémoire DRAM synchrone IS42S32400F-7TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 128 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 143 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 4M x 32 offre des options d'intégration polyvalentes
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Interface standard du secteur : interface mémoire parallèle pour une intégration système transparente
- Conception compacte pour montage en surface : boîtier 86-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimisé pour les applications à espace restreint
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les applications critiques où la fiabilité et les performances sont primordiales. Il est couramment utilisé dans les systèmes embarqués, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical, les infrastructures de télécommunications et les unités de commande électroniques automobiles.
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