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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 11.50 Dhs. 11.50
15+ Dhs. 11.13 Dhs. 166.95
25+ Dhs. 10.89 Dhs. 272.25
50+ Dhs. 10.29 Dhs. 514.50
100+ Dhs. 9.08 Dhs. 908.00
N+ Dhs. 1.82 Price Inquiry
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Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 4M x 32
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 86-TSOP II

IS42S32400J-6TL - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS42S32400J-6TL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 128 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution de mémoire volatile garantit des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès rapide de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant un traitement de données rapide et fiable.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz avec un temps d'accès de 5,4 ns garantit une récupération rapide des données.
  • Organisation de la mémoire optimisée : la configuration 4M x 32 offre une gestion de la mémoire flexible
  • Interface standard du secteur : interface LVTTL pour une intégration transparente
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
  • Conception compacte : boîtier de montage en surface 86-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm)
  • Fiabilité éprouvée : Fabriqué par ISSI, un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les applications critiques où la fiabilité et les performances sont primordiales, notamment les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et l'infrastructure des télécommunications.

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