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15+ Dhs. 9.96 Dhs. 149.40
25+ Dhs. 9.75 Dhs. 243.75
50+ Dhs. 9.21 Dhs. 460.50
100+ Dhs. 8.12 Dhs. 812.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 4M x 32
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 86-TSOP II

IS42S32400J-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS42S32400J-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 128 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications embarquées exigeantes dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des télécommunications et des équipements médicaux. Cette solution de mémoire volatile garantit des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 4 M x 32 optimisée pour les architectures de microcontrôleurs et de processeurs 32 bits
  • Interface LVTTL : Compatibilité TTL basse tension (3 V à 3,6 V) réduisant la consommation d’énergie tout en préservant l’intégrité du signal
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C dans des conditions environnementales difficiles.
  • Boîtier CMS : le boîtier 86-TSOP II (86-TFSOP) permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé
  • Conditionnement en bande et bobine : format prêt pour la production en grande série

Applications typiques :

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est idéal pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, notamment les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les infrastructures de télécommunications, les équipements de diagnostic médical, l'avionique aérospatiale et les modules de calcul haute performance.

Spécifications techniques complètes :


Produits et ressources associés :

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