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15+ Dhs. 10.38 Dhs. 155.70
25+ Dhs. 10.15 Dhs. 253.75
50+ Dhs. 9.59 Dhs. 479.50
100+ Dhs. 8.46 Dhs. 846.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 4M x 32
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 90-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 90-TFBGA (8x13)

IS42S32400J-7BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit

La puce IS42S32400J-7BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM 128 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré DRAM volatil offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués à forte intensité de données et les applications critiques.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 143 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Configuration mémoire optimale : capacité de 128 Mbits organisée en 4 Mbits x 32 pour une gestion efficace des données
  • Interface standard de l'industrie : interface mémoire LVTTL pour une intégration transparente
  • Alimentation fiable : plage de tension de fonctionnement de 3 V à 3,6 V pour des performances stables.
  • Large plage de températures de fonctionnement : 0 °C à 70 °C (TA), adaptée aux environnements commerciaux et industriels.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 90-TFBGA (8x13) optimise l'espace sur le circuit imprimé.
  • Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant des composants de haute fiabilité
  • Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
  • Infrastructure de télécommunications et dispositifs de réseau
  • Plateformes informatiques embarquées et systèmes d'acquisition de données

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