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15+ Dhs. 11.13 Dhs. 166.95
25+ Dhs. 10.89 Dhs. 272.25
50+ Dhs. 10.29 Dhs. 514.50
100+ Dhs. 9.08 Dhs. 908.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 4M x 32
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 86-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S32400J-7TL - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS42S32400J-7TL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 128 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution de mémoire volatile garantit des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès rapide de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant un traitement rapide des données et des opérations mémoire fiables.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 143 MHz avec un temps d’accès de 5,4 ns garantit une récupération rapide des données.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 4M x 32 optimise la gestion des données pour les applications complexes.
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
  • Interface standard du secteur : interface LVTTL pour une intégration transparente
  • Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 86-TSOP II permet un gain de place précieux sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour les systèmes critiques où la fiabilité et les performances sont primordiales. Il est couramment utilisé dans les systèmes embarqués, les contrôleurs d'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les équipements de diagnostic médical et les infrastructures de télécommunications. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa tension d'alimentation stable le rendent adapté aux environnements difficiles.

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