Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 10.30
Prix habituel Dhs. 10.83 Prix promotionnel Dhs. 10.30
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 10.30 Dhs. 10.30
15+ Dhs. 9.96 Dhs. 149.40
25+ Dhs. 9.75 Dhs. 243.75
50+ Dhs. 9.21 Dhs. 460.50
100+ Dhs. 8.12 Dhs. 812.00
N+ Dhs. 1.62 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 4M x 32
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 86-TSOP II

IS42S32400J-7TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit

La mémoire IS42S32400J-7TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone haute fiabilité de 128 Mbit conçue pour les applications embarquées exigeantes. Compatible LVTTL, cette SDRAM dispose d'une organisation mémoire 4M x 32 et offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Architecture mémoire flexible : organisation 4M x 32 (capacité totale de 128 Mbits) optimisée pour les systèmes de bus de données 32 bits
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour une fiabilité de niveau industriel
  • Conception compacte : Boîtier CMS 86-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm) idéal pour les circuits imprimés haute densité.
  • Interface conforme aux normes industrielles : l’interface compatible LVTTL assure une intégration transparente avec les architectures système existantes.

Applications idéales : Systèmes embarqués, électronique automobile, systèmes de contrôle industriel, équipements de télécommunications, dispositifs médicaux et applications aérospatiales nécessitant des solutions de mémoire volatile à haute fiabilité.

Spécifications techniques complètes

Produits et ressources connexes

Explorez notre sélection complète de dispositifs semi-conducteurs de mémoire : solutions de stockage non volatiles et volatiles (64b – 6Tb) pour des options supplémentaires de DRAM, SRAM, Flash et EEPROM adaptées aux exigences spécifiques de votre application.

Visitez HQICKEY - Composants semi-conducteurs haute fiabilité pour découvrir notre catalogue complet de solutions semi-conducteurs de qualité aérospatiale, automobile et industrielle.

Restez informé des dernières actualités et analyses techniques de l'industrie des semi-conducteurs, notamment les annonces de produits, les notes d'application technique et les tendances du secteur.