ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.92 | Dhs. 15.92 |
| 15+ | Dhs. 15.41 | Dhs. 231.15 |
| 25+ | Dhs. 15.08 | Dhs. 377.00 |
| 50+ | Dhs. 14.24 | Dhs. 712.00 |
| 100+ | Dhs. 12.56 | Dhs. 1,256.00 |
| N+ | Dhs. 2.51 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 86-TSOP II |
| RoHS |  |
IS42S32800J-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit
Le circuit intégré IS42S32800J-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haute performance de 256 Mbits conçue pour les applications exigeant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable. Ce composant à montage en surface (CMS) dispose d'une organisation mémoire 8M x 32, d'une fréquence d'horloge de 166 MHz et d'un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles, les équipements de télécommunications et autres applications exigeantes.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 166 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Capacité généreuse : la mémoire de 256 Mbits (32 Mo) offre un espace de stockage suffisant pour les applications complexes.
- Organisation flexible : configuration 8M x 32 avec interface parallèle pour une intégration système polyvalente
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C de température ambiante
- Tension standard : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V compatible avec la plupart des systèmes modernes
- Boîtier compact : Boîtier de montage en surface 86-TSOP II (largeur de 0,400")
- Conforme à la norme RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
- Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré SDRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes informatiques embarqués et ordinateurs monocartes
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- Dispositifs de télécommunications et de réseau
- Instrumentation médicale et équipement de diagnostic
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Électronique grand public nécessitant une mémoire à haute vitesse
Qualité et conformité
La mémoire IS42S32800J-6TL-TR répond à des normes de qualité rigoureuses et est conforme à la directive RoHS , garantissant ainsi l'absence de substances dangereuses. Fabriquée par ISSI, une référence en matière de solutions de mémoire, cette mémoire offre des performances fiables pour les applications critiques.
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