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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 16.82 Dhs. 16.82
15+ Dhs. 16.30 Dhs. 244.50
25+ Dhs. 15.95 Dhs. 398.75
50+ Dhs. 15.06 Dhs. 753.00
100+ Dhs. 13.29 Dhs. 1,329.00
N+ Dhs. 2.66 Price Inquiry
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 32
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 90-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 90-TFBGA (8x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S32800J-75EBL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit

La puce IS42S32800J-75EBL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone de 256 Mbits fiable, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce circuit intégré mémoire présente une architecture 8M x 32, une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns, garantissant un traitement des données rapide et efficace.

Caractéristiques principales :

  • Capacité de mémoire de 256 Mbit avec une organisation de 8 M x ​​32
  • Fréquence d'horloge de 133 MHz pour des performances à haute vitesse
  • Plage de tension de fonctionnement de 3 V à 3,6 V
  • Boîtier de montage en surface 90-TFBGA (8x13mm)
  • Température de fonctionnement : 0 °C à 70 °C
  • Conforme à la directive RoHS
  • Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé

Applications : Idéal pour les équipements de réseau, les télécommunications, les systèmes automobiles, les contrôleurs industriels et les plateformes informatiques embarquées nécessitant des solutions de mémoire volatile fiables.

Spécifications techniques