ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7TLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.08 | Dhs. 17.08 |
| 15+ | Dhs. 16.54 | Dhs. 248.10 |
| 25+ | Dhs. 16.18 | Dhs. 404.50 |
| 50+ | Dhs. 15.28 | Dhs. 764.00 |
| 100+ | Dhs. 13.49 | Dhs. 1,349.00 |
| N+ | Dhs. 2.70 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 86-TSOP II |
| RoHS |
ISSI IS42S32800J-7TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit
La mémoire DRAM synchrone IS42S32800J-7TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 256 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Cette SDRAM à interface parallèle délivre une fréquence d'horloge rapide de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant un débit de données élevé et des performances constantes sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Mémoire haute densité : capacité de 256 Mbits organisée en 8 Mbits x 32 pour une gestion efficace des données
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un fonctionnement système réactif.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles.
- Tension standard : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les conceptions de systèmes courantes.
- Boîtier CMS : boîtier 86-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et l’optimisation de l’espace.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
Applications idéales
Ce composant SDRAM est parfaitement adapté aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux équipements de télécommunications, aux dispositifs médicaux et aux systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile stable et rapide avec une durée de vie prolongée.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?
ISSI est un fabricant de confiance de composants de mémoire semi-conducteurs haute fiabilité, reconnu pour sa disponibilité à long terme et son assistance technique complète. Ce composant est fourni avec une documentation de traçabilité complète et bénéficie de notre engagement envers la qualité et le service client.

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