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Prix habituel Dhs. 17.08
Prix habituel Dhs. 17.98 Prix promotionnel Dhs. 17.08
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 17.08 Dhs. 17.08
15+ Dhs. 16.54 Dhs. 248.10
25+ Dhs. 16.18 Dhs. 404.50
50+ Dhs. 15.28 Dhs. 764.00
100+ Dhs. 13.49 Dhs. 1,349.00
N+ Dhs. 2.70 Price Inquiry
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 32
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 86-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

ISSI IS42S32800J-7TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS42S32800J-7TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 256 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Cette SDRAM à interface parallèle délivre une fréquence d'horloge rapide de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant un débit de données élevé et des performances constantes sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Mémoire haute densité : capacité de 256 Mbits organisée en 8 Mbits x 32 pour une gestion efficace des données
  • Performances rapides : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un fonctionnement système réactif.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles.
  • Tension standard : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les conceptions de systèmes courantes.
  • Boîtier CMS : boîtier 86-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et l’optimisation de l’espace.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb

Applications idéales

Ce composant SDRAM est parfaitement adapté aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux équipements de télécommunications, aux dispositifs médicaux et aux systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile stable et rapide avec une durée de vie prolongée.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

ISSI est un fabricant de confiance de composants de mémoire semi-conducteurs haute fiabilité, reconnu pour sa disponibilité à long terme et son assistance technique complète. Ce composant est fourni avec une documentation de traçabilité complète et bénéficie de notre engagement envers la qualité et le service client.