ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800L-6BL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.11 | Dhs. 16.11 |
| 15+ | Dhs. 15.61 | Dhs. 234.15 |
| 25+ | Dhs. 15.27 | Dhs. 381.75 |
| 50+ | Dhs. 14.42 | Dhs. 721.00 |
| 100+ | Dhs. 12.73 | Dhs. 1,273.00 |
| N+ | Dhs. 2.55 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 32 |
| Interface mémoire | LVTTL |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 90-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 90-TFBGA (8x13) |
IS42S32800L-6BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit
La puce IS42S32800L-6BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une solution de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbits conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns, ce circuit intégré DRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les équipements de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 5,4 ns pour un traitement rapide des données
- Configuration mémoire optimale : capacité de 256 Mbits avec une organisation de 8 M x 32
- Interface standard de l'industrie : interface mémoire LVTTL pour une large compatibilité
- Fonctionnement fiable : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, plage de température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Conception compacte : boîtier CMS 90-TFBGA (8x13)
- Conditionnement prêt pour la production : disponible en bande et bobine pour l’assemblage automatisé
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré SDRAM est idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des infrastructures de télécommunications, des dispositifs médicaux et autres applications nécessitant des composants de mémoire haute fiabilité avec un support à long cycle de vie.
Qualité et traçabilité
En tant que distributeur agréé, nous fournissons une documentation de traçabilité complète et une assurance qualité pour tous les composants semi-conducteurs ISSI, garantissant ainsi la conformité aux normes industrielles et aux exigences spécifiques de votre application.
IS42S32800L-6BL-TR.pdf