ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800L-6TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.37 | Dhs. 13.37 |
| 15+ | Dhs. 12.96 | Dhs. 194.40 |
| 25+ | Dhs. 12.68 | Dhs. 317.00 |
| 50+ | Dhs. 11.98 | Dhs. 599.00 |
| 100+ | Dhs. 10.57 | Dhs. 1,057.00 |
| N+ | Dhs. 2.11 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 32 |
| Interface mémoire | LVTTL |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 86-TFSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 86-TSOP II |
IS42S32800L-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit
La puce IS42S32800L-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une DRAM synchrone haute fiabilité de 256 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs automobile, industriel, médical et des télécommunications. Ce circuit intégré mémoire offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 166 MHz et son temps d'accès rapide de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 5,4 ns pour un traitement rapide des données
- Architecture mémoire optimisée : organisation 8 M x 32 (capacité totale de 256 Mbits) pour une gestion efficace des données
- Interface standard de l'industrie : l'interface LVTTL assure une large compatibilité avec les systèmes existants.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Conditionnement prêt pour la production : Format bande et bobine en boîtier 86-TSOP II pour assemblage automatisé
- Technologie de montage en surface : boîtier TFSOP 86 (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour une conception de circuit imprimé compacte.
Applications idéales
Cette mémoire SDRAM est parfaitement adaptée pour :
- Systèmes d'infodivertissement et ADAS automobiles
- équipements de contrôle et d'automatisation industriels
- Dispositifs de diagnostic et d'imagerie médicale
- Infrastructure de télécommunications
- Plateformes informatiques embarquées
- Applications de mise en mémoire tampon de données à haute fiabilité
Spécifications techniques
Qualité et conformité
En tant que distributeur agréé, nous fournissons une traçabilité complète et une documentation de conformité (RoHS/REACH) pour chaque commande. Tous les composants proviennent directement d'ISSI, garantissant leur authenticité et leur disponibilité à long terme.
Assistance à la conception
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