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Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 14.01 Dhs. 14.01
15+ Dhs. 13.58 Dhs. 203.70
25+ Dhs. 13.28 Dhs. 332.00
50+ Dhs. 12.55 Dhs. 627.50
100+ Dhs. 11.07 Dhs. 1,107.00
N+ Dhs. 2.21 Price Inquiry
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 32
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 90-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 90-TFBGA (8x13)

IS42S32800L-7BL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM 256 Mbit

Le IS42S32800L-7BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haute performance de 256 Mbit conçu pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et l'électronique grand public nécessitant des solutions de mémoire volatile fiables.

Caractéristiques principales

  • Capacité mémoire : 256 Mbit organisés en 8 Mbit x 32
  • Performances haute vitesse : fréquence d'horloge de 143 MHz avec un temps d'accès de 5,4 ns
  • Interface standard du secteur : compatible LVTTL pour une intégration facile
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
  • Boîtier compact : boîtier CMS 90-TFBGA (8x13)
  • Prêt pour la production : Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé

Applications

Idéal pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une technologie SDRAM éprouvée.

Spécifications techniques complètes

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