ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200J-6TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.76 | Dhs. 11.76 |
| 15+ | Dhs. 11.37 | Dhs. 170.55 |
| 25+ | Dhs. 11.12 | Dhs. 278.00 |
| 50+ | Dhs. 10.51 | Dhs. 525.50 |
| 100+ | Dhs. 9.27 | Dhs. 927.00 |
| N+ | Dhs. 1.85 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |  |
IS42S83200J-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit
La mémoire DRAM synchrone IS42S83200J-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une solution haut de gamme de 256 Mbits conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et des performances élevées. Cette mémoire volatile présente une architecture 32M x 8 avec une interface parallèle, offrant un débit de données exceptionnel à une fréquence d'horloge de 166 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
- Conception robuste : Sa plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) la rend idéale pour les environnements industriels.
- Alimentation flexible : la plage de tension de 3 V à 3,6 V assure la compatibilité avec diverses architectures système.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 54-TSOP II optimise l'espace sur le circuit imprimé.
- Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est conçu pour des applications exigeantes dans de nombreux secteurs d'activité :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- équipement de diagnostic médical
- Infrastructure de télécommunications
- Systèmes aérospatiaux et de défense
- Informatique embarquée haute performance
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