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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 12.02 Dhs. 12.02
15+ Dhs. 11.65 Dhs. 174.75
25+ Dhs. 11.39 Dhs. 284.75
50+ Dhs. 10.76 Dhs. 538.00
100+ Dhs. 9.50 Dhs. 950.00
N+ Dhs. 1.90 Price Inquiry
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S83200J-7TL - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit

La mémoire DRAM synchrone IS42S83200J-7TL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 256 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications embarquées, industrielles et de télécommunications exigeantes. Cette mémoire SDRAM à montage en surface offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes critiques nécessitant un débit de données élevé et des performances mémoire constantes.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 32 Mo x 8 offre une architecture mémoire flexible pour répondre à diverses exigences système.
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et plage de température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour une fiabilité de niveau industriel
  • Conception compacte : le boîtier CMS 54-TSOP II compact (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
  • Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Cette mémoire SDRAM est parfaitement adaptée à l'avionique aérospatiale, aux systèmes de contrôle automobile, à l'automatisation industrielle, aux dispositifs médicaux, aux infrastructures de télécommunications et aux plateformes informatiques embarquées où la fiabilité et les performances sont primordiales.

Spécifications techniques

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