ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200J-7TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.31 | Dhs. 11.31 |
| 15+ | Dhs. 10.96 | Dhs. 164.40 |
| 25+ | Dhs. 10.72 | Dhs. 268.00 |
| 50+ | Dhs. 10.12 | Dhs. 506.00 |
| 100+ | Dhs. 8.93 | Dhs. 893.00 |
| N+ | Dhs. 1.79 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 143 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,4 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |  |
IS42S83200J-7TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit
La mémoire DRAM synchrone IS42S83200J-7TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) de 256 Mbits offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant un stockage et une récupération de données rapides et fiables.
Dotée d'une organisation mémoire de 32 Mbits x 8 et d'une interface parallèle, cette mémoire SDRAM fonctionne sous une tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V et de manière fiable dans une plage de températures ambiantes de 0 °C à 70 °C. Son boîtier CMS 54-TSOP II garantit la compatibilité avec les procédés d'assemblage de circuits imprimés modernes tout en assurant des performances électriques robustes.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 143 MHz avec un temps d’accès de 5,4 ns pour un traitement rapide des données
- Architecture mémoire flexible : capacité de 256 Mbits avec une organisation de 32 M x 8
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Boîtier standard de l'industrie : boîtier CMS 54-TSOP II pour une intégration fiable
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SDRAM est conçue pour les systèmes critiques où la fiabilité et les performances sont primordiales, notamment les plateformes informatiques embarquées, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et l'infrastructure des télécommunications.
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