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50+ Dhs. 11.59 Dhs. 579.50
100+ Dhs. 10.23 Dhs. 1,023.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42S83200J-7TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit

Le circuit intégré de mémoire SDRAM IS42S83200J-7TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM 256 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Cette mémoire DRAM volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués critiques nécessitant un traitement rapide des données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns garantissent un débit de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 32 Mo x 8 (capacité totale de 256 Mbits) offre une architecture mémoire flexible pour répondre aux divers besoins des systèmes.
  • Fiabilité de niveau industriel : une plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) garantit des performances stables même dans des conditions environnementales difficiles.
  • Conception compacte : le boîtier CMS 54-TSOP II compact (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimise l'espace sur le circuit imprimé.
  • Fonctionnement sous tension standard : une tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V assure la compatibilité avec les rails d’alimentation des systèmes courants.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

Cette mémoire SDRAM de qualité industrielle est conçue pour les applications à haute fiabilité, notamment :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Modules d'infodivertissement automobile, ADAS et ECU
  • Contrôleurs d'automatisation industrielle et systèmes IHM
  • Dispositifs de diagnostic médical et de surveillance des patients
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est un leader mondialement reconnu dans le domaine des solutions de semi-conducteurs de mémoire haute performance. Forte de plusieurs décennies d'excellence en ingénierie, ISSI fournit des circuits intégrés de mémoire répondant aux exigences rigoureuses de qualité et de fiabilité des applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications.

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