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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 12.29 Dhs. 12.29
15+ Dhs. 11.89 Dhs. 178.35
25+ Dhs. 11.63 Dhs. 290.75
50+ Dhs. 10.98 Dhs. 549.00
100+ Dhs. 9.69 Dhs. 969.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II

IS42S83200L-6TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit

La puce IS42S83200L-6TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une DRAM synchrone haute fiabilité de 256 Mbit conçue pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Ce circuit intégré SDRAM à montage en surface offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant des solutions de mémoire rapides et fiables.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 166 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 32 Mo x 8 optimisée pour les applications embarquées
  • Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
  • Interface standard du secteur : interface LVTTL pour une intégration transparente
  • Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 54-TSOP II permet de gagner de la place sur la carte.
  • Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré SDRAM est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes de contrôle industriel et automatisation
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Équipement de télécommunications
  • Dispositifs médicaux nécessitant une haute fiabilité
  • Plateformes informatiques embarquées
  • Systèmes d'acquisition et de traitement des données

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