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15+ Dhs. 11.41 Dhs. 171.15
25+ Dhs. 11.16 Dhs. 279.00
50+ Dhs. 10.54 Dhs. 527.00
100+ Dhs. 9.30 Dhs. 930.00
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire LVTTL
Fréquence d'horloge 143 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 5,4 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 54-TSOP II

IS42S83200L-7TLI-TR : Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbits

Le circuit intégré de mémoire SDRAM IS42S83200L-7TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM 256 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes dans les secteurs industriel, automobile, des télécommunications et des systèmes embarqués. Ce composant DRAM volatil offre des performances exceptionnelles avec une fréquence d'horloge de 143 MHz et un temps d'accès de 5,4 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes critiques nécessitant des solutions de mémoire rapides et fiables.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 143 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Configuration mémoire optimale : capacité de 256 Mbits avec une organisation de 32 M x 8 pour une intégration système flexible
  • Large plage de fonctionnement : la plage de température de -40 °C à 85 °C prend en charge les applications industrielles et automobiles.
  • Interface standard de l'industrie : interface LVTTL pour une compatibilité parfaite avec les conceptions existantes
  • Alimentation fiable : tension de fonctionnement de 3 V à 3,6 V pour des performances stables.
  • Conditionnement professionnel : boîtier CMS 54-TSOP II en format bande et bobine pour assemblage automatisé

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Électronique automobile et infodivertissement
  • Infrastructure de télécommunications
  • Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
  • Plateformes informatiques embarquées
  • Systèmes d'acquisition de données

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