ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16200D-6BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 355,874.90 | Dhs. 355,874.90 |
| 15+ | Dhs. 344,636.75 | Dhs. 5,169,551.25 |
| 25+ | Dhs. 337,144.64 | Dhs. 8,428,616.00 |
| 50+ | Dhs. 318,414.39 | Dhs. 15,920,719.50 |
| 100+ | Dhs. 280,953.87 | Dhs. 28,095,387.00 |
| N+ | Dhs. 56,190.77 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - Mobile |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
| RoHS |
IS42SM16200D-6BLI-TR - Mémoire SDRAM mobile haute performance de 32 Mbit
La mémoire IS42SM16200D-6BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SDRAM mobile 32 Mbit haut de gamme conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeant une mémoire volatile fiable et rapide. Ce composant offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,5 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués à forte intensité de données, les contrôleurs industriels et les plateformes informatiques mobiles.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
- Organisation mémoire optimisée : la configuration d’interface parallèle 2 M x 16 assure un débit de données efficace
- Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
- Conception compacte : le boîtier CMS 54-TFBGA (8x8) réduit l'encombrement sur le circuit imprimé.
- Large plage de tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Applications idéales
Cette mémoire SDRAM mobile est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux équipements d'automatisation industrielle, aux dispositifs médicaux portables, à l'électronique automobile, aux infrastructures de télécommunications et aux plateformes informatiques de périphérie IoT où une mémoire volatile fiable et rapide est essentielle.
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Spécifications techniques
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