ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16400M-6BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.62 | Dhs. 8.62 |
| 15+ | Dhs. 8.34 | Dhs. 125.10 |
| 25+ | Dhs. 8.16 | Dhs. 204.00 |
| 50+ | Dhs. 7.71 | Dhs. 385.50 |
| 100+ | Dhs. 6.80 | Dhs. 680.00 |
| N+ | Dhs. 1.36 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - Mobile |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
| RoHS |
Présentation du produit
L' IS42SM16400M-6BLI-TR est un circuit intégré de mémoire SDRAM mobile haute performance de 64 Mbit d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Conçu pour les applications embarquées critiques, ce composant mémoire offre des performances fiables grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 5,5 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 64 Mbits organisée en 4 Mbits x 16 pour une gestion efficace des données en parallèle
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels et automobiles.
- Conception compacte : le boîtier CMS 54-TFBGA (8x8) réduit l'encombrement sur le circuit imprimé.
- Tension standard industrielle : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V compatible avec la plupart des systèmes embarqués
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Cette mémoire SDRAM mobile est parfaitement adaptée aux applications aérospatiales, automobiles, aux systèmes de contrôle industriels, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications et autres applications embarquées critiques nécessitant une fiabilité élevée et des performances constantes dans des plages de températures extrêmes.
Spécifications techniques
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