ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16400M-75BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.32 | Dhs. 8.32 |
| 15+ | Dhs. 8.07 | Dhs. 121.05 |
| 25+ | Dhs. 7.89 | Dhs. 197.25 |
| 50+ | Dhs. 7.45 | Dhs. 372.50 |
| 100+ | Dhs. 6.58 | Dhs. 658.00 |
| N+ | Dhs. 1.32 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - Mobile |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
| RoHS |  |
IS42SM16400M-75BLI-TR - Mémoire SDRAM mobile haute performance de 64 Mbit
La mémoire IS42SM16400M-75BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM mobile 64 Mbit haut de gamme conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce composant mémoire haute fiabilité présente une architecture 4M x 16 avec interface parallèle, offrant des performances exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 6 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Configuration mémoire optimale : une capacité de 64 Mbits avec une organisation 4M x 16 offre une architecture mémoire flexible.
- Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
- Conception basse consommation : la tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V optimise la consommation d'énergie des appareils mobiles et alimentés par batterie.
- Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 54-TFBGA (8x8) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Cette mémoire SDRAM mobile est parfaitement adaptée aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, aux contrôleurs industriels, aux plateformes informatiques embarquées, aux équipements de télécommunications et à d'autres applications critiques nécessitant une mémoire volatile haute performance avec une disponibilité à long terme éprouvée.
Spécifications techniques
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Ressources et assistance techniques
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