ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32400H-6BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.34 | Dhs. 13.34 |
| 15+ | Dhs. 12.93 | Dhs. 193.95 |
| 25+ | Dhs. 12.65 | Dhs. 316.25 |
| 50+ | Dhs. 11.94 | Dhs. 597.00 |
| 100+ | Dhs. 10.54 | Dhs. 1,054.00 |
| N+ | Dhs. 2.11 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - Mobile |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 4M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 90-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 90-TFBGA (8x13) |
| RoHS |  |
IS42SM32400H-6BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM mobile haute performance
La mémoire SDRAM mobile IS42SM32400H-6BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un composant haut de gamme de 128 Mbit conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette DRAM à interface parallèle haute vitesse offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 166 MHz et son temps d'accès ultrarapide de 5,5 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant des solutions de mémoire fiables et à longue durée de vie.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 128 Mbits organisée en 4 M x 32, offrant une architecture mémoire flexible pour répondre à diverses exigences de conception.
- Large plage de fonctionnement : Fonctionne de manière fiable dans une plage de températures allant de -40 °C à 85 °C avec une tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 90-TFBGA (8x13) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial et à la conformité réglementaire.
- Disponibilité tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement d’ISSI en matière de disponibilité produit étendue pour une intégration en toute confiance.
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
Cette mémoire SDRAM mobile est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués dans l'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et les applications aérospatiales où la fiabilité, les performances et la disponibilité à long terme sont des exigences de conception essentielles.
Qualité et traçabilité
Chaque unité est livrée avec une documentation de traçabilité complète et répond aux normes de qualité les plus strictes pour les applications critiques. Le conditionnement en bande et bobine pour montage en surface garantit la compatibilité avec l'assemblage automatisé et l'efficacité de la production.
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