ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16200D-75BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 355,874.90 | Dhs. 355,874.90 |
| 15+ | Dhs. 344,636.75 | Dhs. 5,169,551.25 |
| 25+ | Dhs. 337,144.64 | Dhs. 8,428,616.00 |
| 50+ | Dhs. 318,414.39 | Dhs. 15,920,719.50 |
| 100+ | Dhs. 280,953.87 | Dhs. 28,095,387.00 |
| N+ | Dhs. 56,190.77 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - Mobile |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
| RoHS |
IS42VM16200D-75BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM mobile haute performance
L' IS42VM16200D-75BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire SDRAM mobile haut de gamme de 32 Mbit conçu pour les systèmes embarqués, l'électronique industrielle et les applications mobiles nécessitant des performances de mémoire volatile fiables et rapides.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de 32 Mbits : l'organisation de la mémoire en 2M x 16 offre un équilibre optimal pour les applications embarquées.
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 133 MHz et un temps d’accès de 6 ns garantissent un débit de données rapide.
- Technologie SDRAM mobile : Conception basse consommation (1,7 V ~ 1,95 V) idéale pour les appareils portables et alimentés par batterie
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) pour une fiabilité de niveau industriel
- Boîtier compact : le boîtier CMS 54-TFBGA (8x8) optimise l'utilisation de l'espace sur le circuit imprimé
- Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications idéales
Ce circuit intégré SDRAM mobile est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, aux équipements de contrôle industriel, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux portables, à l'informatique de périphérie IoT, aux infrastructures de télécommunications et à l'électronique grand public nécessitant une mémoire volatile fiable avec une longue durée de vie.
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Spécifications techniques complètes
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