ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800H-75BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.65 | Dhs. 11.65 |
| 15+ | Dhs. 11.27 | Dhs. 169.05 |
| 25+ | Dhs. 11.03 | Dhs. 275.75 |
| 50+ | Dhs. 10.41 | Dhs. 520.50 |
| 100+ | Dhs. 9.19 | Dhs. 919.00 |
| N+ | Dhs. 1.84 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - Mobile |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
| RoHS |  |
IS42VM16800H-75BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM mobile haute performance
La mémoire IS42VM16800H-75BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une SDRAM mobile haut de gamme de 128 Mbit conçue pour les applications critiques exigeant une mémoire volatile fiable et rapide. Ce composant DRAM de qualité industrielle offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 133 MHz et son temps d'accès de 6 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes automobiles, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées.
Principales caractéristiques et avantages
- Mémoire haute densité : une capacité de 128 Mbits avec une organisation de 8 Mbits x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les applications exigeantes.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels et automobiles
- Faible consommation d'énergie : tension d'alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimisée pour les appareils mobiles et alimentés par batterie
- Format compact : le boîtier CMS 54-TFBGA (8 x 8 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SDRAM mobile est conçue pour les applications à haute fiabilité, notamment :
- Systèmes d'infodivertissement et ADAS automobiles
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- Dispositifs de diagnostic médical
- Infrastructure de télécommunications
- Plateformes informatiques embarquées
- Appareils portables et à piles
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