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15+ Dhs. 9.34 Dhs. 140.10
25+ Dhs. 9.14 Dhs. 228.50
50+ Dhs. 8.63 Dhs. 431.50
100+ Dhs. 7.61 Dhs. 761.00
N+ Dhs. 1.52 Price Inquiry
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - Mobile
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 32
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 90-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 90-TFBGA (8x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS42VM32200M-75BLI - Mémoire SDRAM mobile haute performance

La mémoire IS42VM32200M-75BLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM mobile 64 Mbit haut de gamme conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Ce composant mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 6 ns.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications embarquées exigeantes.
  • Configuration mémoire optimale : une capacité de 64 Mbits avec une organisation 2M x 32 offre une architecture mémoire flexible pour les conceptions de systèmes complexes.
  • Fiabilité de niveau industriel : une plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) garantit des performances stables même dans des environnements difficiles.
  • Conception compacte : le boîtier CMS 90-TFBGA (8x13) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
  • Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique des applications mobiles et alimentées par batterie.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Cette mémoire SDRAM mobile excelle dans les systèmes d'infodivertissement automobile, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements d'imagerie médicale, l'avionique aérospatiale, les stations de base de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées à haute fiabilité où la performance et la durabilité sont primordiales.

Spécifications techniques

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