ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400H-6BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.07 | Dhs. 13.07 |
| 15+ | Dhs. 12.65 | Dhs. 189.75 |
| 25+ | Dhs. 12.38 | Dhs. 309.50 |
| 50+ | Dhs. 11.69 | Dhs. 584.50 |
| 100+ | Dhs. 10.31 | Dhs. 1,031.00 |
| N+ | Dhs. 2.06 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - Mobile |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 4M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 5,5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 90-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 90-TFBGA (8x13) |
| RoHS |  |
Circuit intégré de mémoire SDRAM mobile IS42VM32400H-6BLI-TR
La mémoire IS42VM32400H-6BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM mobile haute performance de 128 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire DRAM volatile offre des performances fiables grâce à son architecture 4M x 32 et son interface parallèle, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant des solutions de mémoire rapides et efficaces.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 90-TFBGA (8x13) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
- Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 1,7 V à 1,95 V réduit les besoins énergétiques.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales en vigueur pour la fabrication de produits électroniques modernes.
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SDRAM mobile est conçue pour les applications critiques où la fiabilité et les performances sont primordiales. Elle est couramment utilisée dans les systèmes informatiques embarqués, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical, les infrastructures de télécommunications et l'électronique automobile. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste la rendent adaptée aux environnements difficiles.
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