ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400H-75BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.48 | Dhs. 12.48 |
| 15+ | Dhs. 12.10 | Dhs. 181.50 |
| 25+ | Dhs. 11.84 | Dhs. 296.00 |
| 50+ | Dhs. 11.18 | Dhs. 559.00 |
| 100+ | Dhs. 9.86 | Dhs. 986.00 |
| N+ | Dhs. 1.97 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - Mobile |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 4M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 90-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 90-TFBGA (8x13) |
| RoHS |  |
Circuit intégré de mémoire SDRAM mobile ISSI IS42VM32400H-75BLI-TR
La mémoire IS42VM32400H-75BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM mobile haute performance de 128 Mbit conçue pour les applications critiques des secteurs automobile, industriel, médical et des télécommunications. Cette mémoire DRAM volatile présente une architecture 4M x 32 avec interface parallèle, offrant des performances fiables à une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
- Plage de fonctionnement robuste : sa plage de températures de -40 °C à 85 °C la rend idéale pour les environnements industriels et automobiles difficiles.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 90-TFBGA (8x13) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
- Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 1,7 V à 1,95 V réduit les besoins énergétiques.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SDRAM mobile est conçue pour les systèmes à haute fiabilité exigeant des performances constantes dans des plages de températures extrêmes. Elle est couramment utilisée dans les systèmes de contrôle automobile, les équipements d'automatisation industrielle, les dispositifs de diagnostic médical et les infrastructures de télécommunications, où l'intégrité des données et la stabilité opérationnelle sont primordiales.
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