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15+ Dhs. 15.44 Dhs. 231.60
25+ Dhs. 15.10 Dhs. 377.50
50+ Dhs. 14.26 Dhs. 713.00
100+ Dhs. 12.59 Dhs. 1,259.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - Mobile
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 32
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 90-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 90-TFBGA (8x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Circuit intégré de mémoire SDRAM mobile IS42VM32800K-75BLI-TR

Mémoire SDRAM mobile haute performance de 256 Mbits d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc), conçue pour les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire volatile fiables. Cette puce DRAM dispose d'une architecture mémoire 8M x 32 avec interface parallèle et d'une fréquence d'horloge de 133 MHz, idéale pour les systèmes embarqués, les télécommunications et les applications de contrôle industriel.

Caractéristiques principales :

  • Capacité mémoire : 256 Mbit (organisation 8M x 32)
  • Haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 6 ns
  • Qualité industrielle : Plage de températures de fonctionnement -40 °C à 85 °C
  • Faible consommation : tension d'alimentation de 1,7 V à 1,95 V
  • Montage en surface : boîtier 90-TFBGA (8 x 13 mm)
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement

Applications :

Idéale pour l'électronique automobile, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et autres applications nécessitant une mémoire haute fiabilité avec une plage de températures de fonctionnement étendue.

Spécifications techniques complètes