ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VS16100C1-10TI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.95 | Dhs. 8.95 |
| 15+ | Dhs. 8.68 | Dhs. 130.20 |
| 25+ | Dhs. 8.50 | Dhs. 212.50 |
| 50+ | Dhs. 8.02 | Dhs. 401.00 |
| 100+ | Dhs. 7.08 | Dhs. 708.00 |
| N+ | Dhs. 1.42 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 100 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 50-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 50-TSOP II |
| RoHS |  |
Présentation du produit
L' IS42VS16100C1-10TI-TR est un circuit intégré de mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haute performance de 16 Mbits, fabriqué par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Conçu pour une fiabilité et une vitesse optimales, ce composant mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications et les applications critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 100 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 7 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
- Configuration mémoire optimale : une capacité de 16 Mbits avec une organisation 1M x 16 offre une architecture mémoire flexible pour répondre à diverses exigences système.
- Large plage de fonctionnement : La tolérance aux températures de qualité industrielle (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,9 V réduit la consommation d’énergie tout en maintenant les performances.
- Conception compacte : le boîtier CMS 50-TSOP II compact optimise l'espace sur le circuit imprimé.
- Prêt pour la production : l’emballage en bande et bobine simplifie les processus d’assemblage automatisés
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une conformité optimale au marché mondial
Applications
Ce circuit intégré de mémoire SDRAM est idéal pour les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les contrôleurs industriels, les équipements de réseau, les plateformes informatiques embarquées et les infrastructures de télécommunications.
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