ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.94 | Dhs. 10.94 |
| 15+ | Dhs. 10.58 | Dhs. 158.70 |
| 25+ | Dhs. 10.35 | Dhs. 258.75 |
| 50+ | Dhs. 9.78 | Dhs. 489.00 |
| 100+ | Dhs. 8.63 | Dhs. 863.00 |
| N+ | Dhs. 1.73 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 333 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 450 ch |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 84-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 84-TWBGA (8x12,5) |
| RoHS |  |
IS43DR16160B-3DBL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute fiabilité
Le circuit intégré IS43DR16160B-3DBL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR2 256 Mbit haut de gamme conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce dispositif de mémoire volatile haute performance offre une fiabilité et une vitesse exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 333 MHz et un temps d'accès de 450 ps.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 333 MHz et un temps de cycle d’écriture de 15 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 256 Mbits organisée en 16 Mbits x 16 pour des opérations d’interface parallèle efficaces
- Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements exigeants
- Conception compacte : Boîtier CMS 84-TFBGA (84-TWBGA 8x12,5)
- Faible consommation d'énergie : tension d'alimentation de 1,7 V à 1,9 V pour un fonctionnement écoénergétique
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SDRAM DDR2 est idéale pour :
- Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une mémoire à haute fiabilité
- Électronique automobile et systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- Dispositifs de diagnostic et d'imagerie médicale
- Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
- Plateformes informatiques embarquées
Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?
ISSI est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire semi-conductrice haute fiabilité, offrant des performances éprouvées pour les applications critiques à travers le monde. La mémoire IS43DR16160B-3DBL-TR associe une technologie DDR2 de pointe à des normes de qualité rigoureuses afin de garantir un fonctionnement fiable et constant, même dans les environnements les plus exigeants.
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