ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.84 | Dhs. 11.84 |
| 15+ | Dhs. 11.48 | Dhs. 172.20 |
| 25+ | Dhs. 11.23 | Dhs. 280.75 |
| 50+ | Dhs. 10.61 | Dhs. 530.50 |
| 100+ | Dhs. 9.36 | Dhs. 936.00 |
| N+ | Dhs. 1.87 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 333 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 450 ch |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 84-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 84-TWBGA (8x12,5) |
| RoHS |  |
IS43DR16160B-3DBLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute fiabilité
La puce IS43DR16160B-3DBLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR2 256 Mbit haut de gamme conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et des performances exceptionnelles. Cette solution de mémoire volatile haute vitesse présente une architecture 16M x 16 avec une interface parallèle, offrant des capacités de stockage de données robustes pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 333 MHz, un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 450 ps garantissent un traitement rapide des données.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
- Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 1,7 V à 1,9 V optimise l'efficacité énergétique.
- Conception pour montage en surface : le boîtier 84-TFBGA (84-TWBGA 8x12,5) permet des agencements de circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire DDR2 SDRAM est idéale pour les systèmes embarqués, les équipements de réseau, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux et les infrastructures de télécommunications où l'accès rapide aux données et la stabilité thermique sont des exigences essentielles.
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