ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-25DBL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.24 | Dhs. 8.24 |
| 15+ | Dhs. 7.99 | Dhs. 119.85 |
| 25+ | Dhs. 7.82 | Dhs. 195.50 |
| 50+ | Dhs. 7.39 | Dhs. 369.50 |
| 100+ | Dhs. 6.52 | Dhs. 652.00 |
| N+ | Dhs. 1.30 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 400 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 400 ch |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 84-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 84-TWBGA (8x12,5) |
| RoHS |
IS43DR16320D-25DBL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance
Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 512 Mbit IS43DR16320D-25DBL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un produit haut de gamme conçu pour les applications électroniques embarquées et industrielles exigeantes. Cette solution de mémoire volatile haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 400 MHz et sa très faible consommation d'énergie, ce qui en fait le choix idéal pour les systèmes critiques nécessitant une mémoire rapide et fiable.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 512 Mbits – Organisée en 32 Mbits x 16 pour un débit de données optimal et un adressage mémoire efficace dans les systèmes embarqués
- Fréquence d'horloge de 400 MHz - La technologie DDR2 SDRAM haute vitesse, avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns et un temps d'accès de 400 ps, garantit un traitement rapide des données.
- Fonctionnement à faible consommation – La plage de tension d'alimentation de 1,7 V à 1,9 V offre des performances écoénergétiques, réduisant la production de chaleur et prolongeant la durée de vie de la batterie du système.
- Plage de températures industrielles - Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA), assurant des performances constantes dans des environnements industriels difficiles.
- Boîtier compact 84-TFBGA - Format compact 84-TWBGA (8 x 12,5 mm) pour montage en surface, idéal pour les circuits imprimés à espace restreint.
- Conforme à la directive RoHS - Fabrication respectueuse de l'environnement, conforme aux normes et réglementations environnementales internationales
- Disponibilité prolongée du cycle de vie - ISSI garantit une disponibilité étendue des produits pour les applications industrielles et embarquées.
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 IS43DR16320D-25DBL-TR est conçu pour des applications hautes performances dans de nombreux secteurs :
- Systèmes informatiques embarqués - Contrôleurs industriels, ordinateurs monocartes et processeurs embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide
- Réseaux et télécommunications - Routeurs, commutateurs, stations de base et équipements d'infrastructure de communication
- Électronique médicale - Équipements de diagnostic, systèmes de surveillance des patients et dispositifs d'imagerie médicale
- Électronique automobile - Systèmes d'infodivertissement, systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS) et unités de contrôle du véhicule
- Systèmes d'acquisition de données - Applications d'enregistrement de données à haute vitesse, de traitement du signal et de surveillance en temps réel
- Automatisation industrielle - Automates programmables, interfaces homme-machine, contrôleurs de mouvement et équipements d'automatisation d'usine
Avantages en matière de performance
Cette mémoire DDR2 SDRAM offre des performances exceptionnelles, la rendant idéale pour les applications exigeantes. Sa fréquence d'horloge de 400 MHz, associée à un temps d'accès de 400 ps, garantit une latence minimale pour les opérations critiques. L'interface mémoire parallèle assure une large bande passante pour les tâches gourmandes en données, tandis que l'organisation 32 Mbits x 16 optimise l'efficacité de l'adressage mémoire.
La qualification pour une plage de températures industrielles garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles où les composants grand public seraient défaillants. Qu'elle soit utilisée dans les chaînes de production, les équipements de télécommunications extérieurs ou les applications automobiles, cette puce mémoire offre des performances constantes sur toute la plage de températures.
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Le composant IS43DR16320D-25DBL-TR est disponible en conditionnement sur bande et bobine pour l'assemblage automatisé de type pick-and-place. Contactez notre équipe commerciale pour connaître les tarifs dégressifs, les délais de livraison et les options de conditionnement personnalisées. Nous prenons en charge les prototypes comme les volumes de production afin de répondre aux exigences de votre projet.

IS43DR16320D-25DBL-TR.pdf