ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-25DBLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.07 | Dhs. 13.07 |
| 15+ | Dhs. 12.65 | Dhs. 189.75 |
| 25+ | Dhs. 12.38 | Dhs. 309.50 |
| 50+ | Dhs. 11.69 | Dhs. 584.50 |
| 100+ | Dhs. 10.31 | Dhs. 1,031.00 |
| N+ | Dhs. 2.06 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 400 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 400 ch |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 84-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 84-TWBGA (8x12,5) |
| RoHS |  |
Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 ISSI IS43DR16320E-25DBLI-TR
Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 512 Mbit IS43DR16320E-25DBLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire haute performance conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, aérospatial et médical. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface offre des performances fiables avec une fréquence d'horloge de 400 MHz et fonctionne dans une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 400 MHz et un temps d’accès de 400 ps garantissent un traitement rapide des données.
- Configuration mémoire robuste : capacité de 512 Mbits organisée en 32 Mbits x 16 pour une intégration système flexible
- Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
- Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 1,7 V à 1,9 V optimise l'efficacité énergétique.
- Conception compacte : boîtier CMS 84-TFBGA (8 x 12,5 mm)
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire DDR2 SDRAM est idéal pour les systèmes critiques exigeant une fiabilité et des performances élevées, notamment l'avionique aérospatiale, les systèmes de contrôle automobile, les équipements d'automatisation industrielle, les dispositifs de diagnostic médical, l'infrastructure de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées.
Qualité et traçabilité
Chez HQICKEY, nous assurons une traçabilité complète et un support technique tout au long du cycle de vie de tous les composants mémoire ISSI. Chaque unité provient de distributeurs agréés et bénéficie d'une assurance qualité rigoureuse pour vos applications critiques.
Produits et ressources connexes
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