ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-25DBLI-TR

Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 IS43DR81280C-25DBLI-TR

Solution de mémoire SDRAM DDR2 1 Gbit haute performance d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Cette puce mémoire de qualité industrielle présente une architecture 128 Mbits x 8 et une fréquence d'horloge de 400 MHz, idéale pour les systèmes embarqués, les télécommunications, l'automobile et les applications industrielles exigeant des performances mémoire fiables sur une large plage de températures.

Caractéristiques principales

• Capacité de mémoire : 1 Gbit DDR2 SDRAM
• Organisation : interface parallèle 128M x 8
• Vitesse : fréquence d’horloge de 400 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns
• Plage de températures de fonctionnement industrielles : -40 °C à 85 °C
• Boîtier compact : montage en surface 60-TFBGA (8 x 10,5 mm)
• Basse tension : tension d'alimentation de 1,7 V à 1,9 V
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement

Applications

Idéal pour l'aérospatiale, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une mémoire haute fiabilité avec un fonctionnement à température étendue et une longue durée de vie.

Spécifications techniques

• IS43DR81280C-25DBLI-TR.pdf