ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-3DBL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.34 | Dhs. 10.34 |
| 15+ | Dhs. 10.03 | Dhs. 150.45 |
| 25+ | Dhs. 9.81 | Dhs. 245.25 |
| 50+ | Dhs. 9.27 | Dhs. 463.50 |
| 100+ | Dhs. 8.18 | Dhs. 818.00 |
| N+ | Dhs. 1.64 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | SSTL_18 |
| Fréquence d'horloge | 333 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 450 ch |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-TWBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
IS43DR81280C-3DBL-TR : Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute fiabilité
Le circuit intégré IS43DR81280C-3DBL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR2 1 Gbit haute performance conçue pour les applications de systèmes embarqués exigeantes. Cette solution de mémoire volatile offre une fiabilité et des performances exceptionnelles pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 1 Gbit : stockage suffisant pour les applications embarquées complexes grâce à son organisation en 128 Mo x 8.
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 333 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 450 ps.
- Interface standard de l'industrie : l'interface SSTL_18 assure une large compatibilité
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 85 °C (TC) avec une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,9 V.
- Boîtier compact pour montage en surface : 60-TFBGA (60-TWBGA 8x10,5) pour des circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire DDR2 SDRAM est conçu pour les applications critiques exigeant une fiabilité élevée et des performances constantes :
- Systèmes aérospatiaux et de défense
- Électronique automobile et systèmes ADAS
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- équipement de diagnostic médical
- Infrastructure de télécommunications
- Informatique embarquée haute performance
Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?
ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs haute fiabilité. Forte de plusieurs décennies d'expertise dans les technologies de mémoire volatile et non volatile, ISSI fournit des composants répondant aux exigences rigoureuses des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile et de l'industrie. Le composant IS43DR81280C-3DBL-TR illustre parfaitement l'engagement d'ISSI en matière de qualité, de performance et de fiabilité.
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