ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-3DBL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.49 | Dhs. 7.49 |
| 15+ | Dhs. 7.24 | Dhs. 108.60 |
| 25+ | Dhs. 7.08 | Dhs. 177.00 |
| 50+ | Dhs. 6.69 | Dhs. 334.50 |
| 100+ | Dhs. 5.90 | Dhs. 590.00 |
| N+ | Dhs. 1.18 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SSTL_18 |
| Fréquence d'horloge | 333 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 450 ch |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-TWBGA (8x10,5) |
IS43DR86400D-3DBL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance
Le circuit intégré IS43DR86400D-3DBL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR2 512 Mbits haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire volatile fiables et rapides. Ce composant authentique présente une architecture 64 Mbits x 8 fonctionnant à 333 MHz avec une interface SSTL_18, ce qui le rend idéal pour les applications gourmandes en données dans les télécommunications, les équipements de réseau, l'automatisation industrielle et les plateformes informatiques embarquées.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 333 MHz, un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 450 ps garantissent un traitement rapide des données.
- Architecture mémoire optimisée : une capacité de 512 Mbits avec une organisation de 64 M x 8 offre une gestion de la mémoire flexible.
- Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 85 °C (TC) pour les environnements exigeants
- Faible consommation d'énergie : tension d'alimentation de 1,7 V à 1,9 V pour un fonctionnement écoénergétique
- Boîtier compact : Boîtier CMS 60-TFBGA (8 x 10,5 mm) idéal pour les circuits imprimés haute densité.
- Technologie DDR2 SDRAM : mémoire volatile standard compatible avec l’interface SSTL_18
- Conditionnement en bande et bobine : emballage prêt à l’emploi pour les processus d’assemblage automatisés
Applications
Ce circuit intégré DDR2 SDRAM est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, aux routeurs et commutateurs de réseau, aux contrôleurs industriels, aux infrastructures de télécommunications, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et aux applications informatiques hautes performances où la fiabilité des performances de la mémoire est essentielle.
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Spécifications techniques complètes
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