ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-25DBLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.06 | Dhs. 15.06 |
| 15+ | Dhs. 14.58 | Dhs. 218.70 |
| 25+ | Dhs. 14.27 | Dhs. 356.75 |
| 50+ | Dhs. 13.47 | Dhs. 673.50 |
| 100+ | Dhs. 11.89 | Dhs. 1,189.00 |
| N+ | Dhs. 2.38 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 400 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 400 ch |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-TWBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
IS43DR86400E-25DBLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 512 Mbit
Le IS43DR86400E-25DBLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance de 512 Mbit conçu pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et embarquées exigeantes nécessitant des solutions de mémoire fiables et à longue durée de vie.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 400 MHz et un temps d'accès de 400 ps assurent un débit de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA), idéal pour les environnements difficiles des secteurs automobile, aérospatial et des systèmes de contrôle industriels.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 64 Mo x 8 offre des options d’intégration polyvalentes pour la conception de systèmes embarqués.
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,9 V optimise l’efficacité énergétique dans les applications alimentées par batterie et à faible consommation.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une conformité optimale au marché mondial
- Boîtier CMS : le 60-TFBGA (60-TWBGA 8x10,5) permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé
- Assistance tout au long du cycle de vie : ISSI assure une disponibilité et une traçabilité étendues des produits pour les conceptions critiques.
Applications typiques
Cette mémoire DDR2 SDRAM est idéale pour l'avionique aérospatiale, les systèmes d'infodivertissement et ADAS automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements d'imagerie médicale, les infrastructures de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées nécessitant des composants de mémoire éprouvés et traçables.
Spécifications techniques complètes
Qualité et conformité
Tous les produits de mémoire ISSI sont soumis à des tests rigoureux et à un contrôle qualité strict. Ce composant est conforme à la directive RoHS et convient aux conceptions exigeant une traçabilité complète et une disponibilité à long terme.
Référence : IS43DR86400E-25DBLI-TR
Fabricant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
Conditionnement : Bande et bobine (TR) pour assemblage automatisé de prélèvement et de placement
IS43DR86400E-25DBLI-TR.pdf