ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-3DBL
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.99 | Dhs. 8.99 |
| 15+ | Dhs. 8.72 | Dhs. 130.80 |
| 25+ | Dhs. 8.53 | Dhs. 213.25 |
| 50+ | Dhs. 8.06 | Dhs. 403.00 |
| 100+ | Dhs. 7.11 | Dhs. 711.00 |
| N+ | Dhs. 1.42 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 333 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 450 ch |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-TWBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
ISSI IS43DR86400E-3DBL - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance
Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 512 Mbit IS43DR86400E-3DBL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un composant haut de gamme conçu pour les applications embarquées critiques. Ce composant de mémoire volatile haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 333 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 450 ps, ce qui le rend idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 333 MHz et un temps d'accès de 450 ps garantissent un traitement rapide des données.
- Architecture mémoire optimisée : l’organisation 64 M x 8 (capacité totale de 512 Mbits) offre une intégration flexible.
- Faible consommation d'énergie : plage de tension d'alimentation de 1,7 V à 1,9 V pour un fonctionnement écoénergétique
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 85 °C (TC) pour les environnements exigeants.
- Boîtier compact pour montage en surface : son format 60-TWBGA (8 x 10,5 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SDRAM DDR2 est parfaitement adaptée pour :
- Systèmes informatiques embarqués et d'automatisation industrielle
- Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
- Équipements d'imagerie médicale et de diagnostic
- Infrastructure de télécommunications et de réseaux
- Applications aérospatiales et de défense exigeant une haute fiabilité
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