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Quantity Unit Price Total Price
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15+ Dhs. 13.92 Dhs. 208.80
25+ Dhs. 13.62 Dhs. 340.50
50+ Dhs. 12.86 Dhs. 643.00
100+ Dhs. 11.35 Dhs. 1,135.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR2
Taille de la mémoire 512 Mbits
Organisation de la mémoire 64M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 333 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 450 ch
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,9 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 60-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 60-TWBGA (8x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS43DR86400E-3DBLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 512 Mbit

Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 512 Mbit IS43DR86400E-3DBLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une solution haute performance conçue pour les applications critiques exigeant des solutions de mémoire fiables et à longue durée de vie. Ce composant de qualité industrielle fonctionne dans une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C, ce qui le rend idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des équipements médicaux et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 333 MHz et un temps d'accès de 450 ps garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
  • Architecture mémoire optimisée : l’organisation 64 M x 8 (512 Mbits au total) offre une intégration flexible pour les conceptions de systèmes embarqués.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des conditions environnementales difficiles.
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement 60-TFBGA (60-TWBGA 8x10,5 mm) permet des agencements de circuits imprimés peu encombrants.
  • Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,9 V réduit la consommation d’énergie et la production de chaleur.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales relatives à la fabrication sans plomb et à la conformité réglementaire internationale.
  • Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour les processus d’assemblage automatisés et la production en série

Applications cibles

Cette mémoire DDR2 SDRAM est conçue pour les applications où l'intégrité des données, la disponibilité à long terme et la résistance environnementale sont primordiales :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Modules d'infodivertissement automobile, d'ADAS et de commande du groupe motopropulseur
  • équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
  • Dispositifs de diagnostic et d'imagerie médicale
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Électronique militaire et de défense

Pourquoi choisir les solutions de mémoire ISSI ?

ISSI est un fabricant reconnu de composants semi-conducteurs haute fiabilité, fort d'une solide expérience dans les secteurs critiques. Le contrôleur IS43DR86400E-3DBLI-TR offre une traçabilité complète, des fiches techniques détaillées et un support technique étendu, garantissant ainsi la pérennité de vos conceptions. Distributeur agréé, nous fournissons des composants ISSI authentiques, accompagnés d'une documentation complète et d'un support technique.

Spécifications techniques complètes

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