ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5BL

IS43R16160D-5BL - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 256 Mbit

Le circuit intégré IS43R16160D-5BL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM DDR haute performance de 256 Mbits conçue pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les équipements de télécommunications. Cette mémoire volatile présente une architecture 16 Mbits x 16 avec une interface parallèle et fonctionne à une fréquence d'horloge de 200 MHz pour un traitement fiable des données.

Principales caractéristiques et avantages

• Mémoire haute densité : capacité de 256 Mbits avec une organisation de 16 M x 16 pour un stockage de données efficace
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 200 MHz, temps d’accès de 700 ps et cycle d’écriture de 15 ns
• Boîtier standard de l'industrie : boîtier CMS 60-TFBGA (8x13) pour une conception de circuit imprimé compacte
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V, température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
• Stock autorisé : documentation complète du fabricant, traçabilité et assistance tout au long du cycle de vie

Applications techniques

Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des équipements de réseau et des infrastructures de télécommunications nécessitant une mémoire DDR SDRAM fiable et une disponibilité à long terme éprouvée.

Spécifications techniques complètes

• IS43R16160D-5BL.pdf