ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.94 | Dhs. 10.94 |
| 15+ | Dhs. 10.58 | Dhs. 158.70 |
| 25+ | Dhs. 10.35 | Dhs. 258.75 |
| 50+ | Dhs. 9.78 | Dhs. 489.00 |
| 100+ | Dhs. 8.63 | Dhs. 863.00 |
| N+ | Dhs. 1.73 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
IS43R16160D-5TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
L'IS43R16160D-5TL-TR est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 256 Mbit hautes performances, fabriqué par ISSI (Integrated Silicon Solution Inc). Cette solution de mémoire volatile présente une architecture 16M x 16 avec interface parallèle, offrant des performances fiables pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile et des systèmes embarqués.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz, un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données.
- Efficacité énergétique optimisée : une tension de fonctionnement de 2,3 V à 2,7 V réduit la consommation d’énergie tout en maintenant les performances.
- Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de 0 °C à 70 °C (TA), adapté aux environnements difficiles
- Conception compacte : le boîtier CMS 66-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimise l'espace sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire DDR SDRAM est conçue pour les applications critiques, notamment les systèmes d'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les infrastructures de télécommunications, les dispositifs médicaux et les plateformes informatiques embarquées, où la fiabilité et les performances sont primordiales.
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