ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5TLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.81 | Dhs. 12.81 |
| 15+ | Dhs. 12.41 | Dhs. 186.15 |
| 25+ | Dhs. 12.14 | Dhs. 303.50 |
| 50+ | Dhs. 11.47 | Dhs. 573.50 |
| 100+ | Dhs. 10.12 | Dhs. 1,012.00 |
| N+ | Dhs. 2.02 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
IS43R16160D-5TLI - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
Le circuit intégré IS43R16160D-5TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire SDRAM DDR haute performance de 256 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, des télécommunications et médical. Cette solution de mémoire volatile offre un stockage de données fiable grâce à une organisation de 16 Mbits x 16, fonctionnant à une fréquence d'horloge de 200 MHz pour un accès et un traitement rapides des données.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz, un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 700 ps garantissent un débit de données rapide.
- Alimentation flexible : une large plage de tension (2,3 V ~ 2,7 V) optimise la consommation d'énergie pour diverses configurations de systèmes.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 66-TSOP II (0,400 pouce, largeur de 10,16 mm) permet des agencements de circuits imprimés peu encombrants.
- Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est parfaitement adapté aux systèmes avioniques aérospatiaux, aux systèmes de contrôle automobile, aux équipements d'automatisation industrielle, aux dispositifs de diagnostic médical et aux infrastructures de télécommunications où une fiabilité et des performances élevées sont essentielles.
Spécifications techniques complètes
Produits et ressources connexes
Découvrez notre sélection complète de solutions de semi-conducteurs de mémoire, notamment les dispositifs DRAM, SRAM, Flash et EEPROM, pour votre prochain projet.
Visitez la page d'accueil de HQICKEY pour découvrir notre gamme complète de composants électroniques haute fiabilité destinés aux applications industrielles, automobiles, aérospatiales et médicales.
Restez informé des dernières tendances du secteur, des annonces de produits et des articles techniques sur notre blog Actualités et Ressources Techniques .
IS43R16160D-5TLI.pdf