Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 11.31
Prix habituel Dhs. 11.91 Prix promotionnel Dhs. 11.31
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 11.31 Dhs. 11.31
15+ Dhs. 10.96 Dhs. 164.40
25+ Dhs. 10.72 Dhs. 268.00
50+ Dhs. 10.12 Dhs. 506.00
100+ Dhs. 8.93 Dhs. 893.00
N+ Dhs. 1.79 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 700 ch
Tension - Alimentation 2,3 V ~ 2,7 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 66-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Solution de mémoire DDR SDRAM haute performance

La mémoire IS43R16160D-6TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) offre des performances fiables de 256 Mbits DDR SDRAM pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire haute fiabilité dispose d'une architecture 16M x 16 avec interface parallèle et d'une fréquence d'horloge de 166 MHz, garantissant un accès rapide aux données et des performances exceptionnelles dans les systèmes critiques.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 700 ps pour un traitement rapide des données
  • Plage de fonctionnement robuste : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
  • Conception compacte pour montage en surface : boîtier 66-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimisé pour les applications à espace restreint
  • Tension standard industrielle : tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour une compatibilité avec les systèmes modernes
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Idéal pour les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et autres applications à haute fiabilité nécessitant des performances de mémoire rapides et fiables.

Produits et ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire pour vos composants DRAM, SRAM, Flash et autres mémoires spécialisées. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs haute fiabilité ou notre blog technique pour les dernières analyses et notes d'application.