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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 700 ch
Tension - Alimentation 2,3 V ~ 2,7 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 60-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 60-TFBGA (8x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS43R16160F-5BL - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance

La puce IS43R16160F-5BL d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR 256 Mbit haut de gamme conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Cette solution de mémoire volatile haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et une organisation mémoire de 16 Mbits x 16, le tout dans un boîtier compact TFBGA 60 broches pour montage en surface.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données pour les applications temps réel exigeantes.
  • Configuration mémoire optimale : une capacité de 256 Mbits avec une organisation de 16 M x 16 offre une architecture mémoire flexible pour les systèmes embarqués.
  • Fiabilité de niveau industriel : La plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) garantit des performances stables dans des environnements difficiles.
  • Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 2,3 V à 2,7 V optimise l'efficacité énergétique des conceptions alimentées par batterie et sensibles à la consommation.
  • Format compact : le boîtier 60-TFBGA (8x13) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte dans les applications où l'espace est limité.
  • Cycles d'écriture rapides : un temps de cycle d'écriture de 15 ns permet des opérations de stockage de données efficaces.
  • Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

La mémoire SDRAM DDR IS43R16160F-5BL est parfaitement adaptée aux applications suivantes :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Plateformes ECU et ADAS automobiles
  • Automatisation industrielle et automates programmables
  • Équipements d'imagerie médicale et de diagnostic
  • Infrastructure de télécommunications et dispositifs de réseau
  • Systèmes informatiques embarqués à haute fiabilité
  • Applications d'acquisition de données et de traitement du signal

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