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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 11.76 Dhs. 11.76
15+ Dhs. 11.41 Dhs. 171.15
25+ Dhs. 11.16 Dhs. 279.00
50+ Dhs. 10.54 Dhs. 527.00
100+ Dhs. 9.30 Dhs. 930.00
N+ Dhs. 1.86 Price Inquiry
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Quantité
Component Recycling

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 700 ch
Tension - Alimentation 2,3 V ~ 2,7 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 60-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 60-TFBGA (8x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Présentation du circuit intégré de mémoire SDRAM DDR IS43R16160F-5BL-TR

Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR IS43R16160F-5BL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) est une mémoire haute performance de 256 Mbits conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Doté d'une architecture 16M x 16, d'une fréquence d'horloge de 200 MHz et d'un temps de cycle d'écriture de 15 ns, il offre des performances fiables même dans les environnements les plus exigeants.

En tant que distributeur agréé, HQICKEY fournit des composants IS43R16160F-5BL-TR authentiques, avec une traçabilité complète et le support du fabricant. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface est disponible en boîtier TFBGA 60 (8 x 13) compact et fonctionne sur une large plage de températures, de 0 °C à 70 °C, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués exigeant des solutions de mémoire haute densité et haute vitesse.

Caractéristiques et spécifications principales


Ressources connexes