ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-5TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.28 | Dhs. 8.28 |
| 15+ | Dhs. 8.03 | Dhs. 120.45 |
| 25+ | Dhs. 7.86 | Dhs. 196.50 |
| 50+ | Dhs. 7.42 | Dhs. 371.00 |
| 100+ | Dhs. 6.55 | Dhs. 655.00 |
| N+ | Dhs. 1.31 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
IS43R16160F-5TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
Le circuit intégré IS43R16160F-5TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR 256 Mbit haut de gamme, conçue pour les applications électroniques embarquées et industrielles exigeantes. Ce composant semi-conducteur authentique offre des performances fiables grâce à son organisation mémoire 16 Mbits x 16 et sa fréquence d'horloge de 200 MHz, ce qui le rend idéal pour les systèmes à forte intensité de données nécessitant un accès mémoire rapide et parallèle.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz et un temps d’accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données.
- Architecture mémoire flexible : capacité de 256 Mbits avec une organisation de 16 M x 16 pour une intégration système polyvalente
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C dans des environnements difficiles.
- Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 2,3 V à 2,7 V optimise l'efficacité énergétique.
- Conception pour montage en surface : le boîtier 66-TSOP II permet des agencements de circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications techniques
Cette puce mémoire DDR SDRAM est parfaitement adaptée aux automates embarqués, aux systèmes d'automatisation industrielle, aux équipements réseau, à l'électronique automobile et aux plateformes de calcul haute performance où une mémoire volatile fiable est essentielle. Son interface parallèle et son temps de cycle d'écriture rapide (15 ns) en font un excellent choix pour les applications de mise en mémoire tampon et de traitement de données en temps réel.
Spécifications techniques détaillées
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IS43R16160F-5TL-TR.pdf