ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-5TLI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.93 | Dhs. 9.93 |
| 15+ | Dhs. 9.61 | Dhs. 144.15 |
| 25+ | Dhs. 9.41 | Dhs. 235.25 |
| 50+ | Dhs. 8.88 | Dhs. 444.00 |
| 100+ | Dhs. 7.84 | Dhs. 784.00 |
| N+ | Dhs. 1.57 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
IS43R16160F-5TLI - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 256 Mbit IS43R16160F-5TLI d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est un composant de mémoire volatile de qualité industrielle offrant des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 200 MHz et son organisation mémoire de 16 Mbits x 16. Il est idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
- Architecture mémoire flexible : une capacité de 256 Mbits avec une organisation de 16 M x 16 offre un équilibre optimal entre densité et bande passante.
- Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 2,3 V à 2,7 V réduit les besoins énergétiques des systèmes embarqués et alimentés par batterie.
- Conception pour montage en surface : le boîtier 66-TSOP II permet une conception efficace du circuit imprimé et un assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est conçu pour les applications critiques exigeant une fiabilité élevée et des performances constantes dans des plages de températures extrêmes. Il est couramment utilisé dans les contrôleurs embarqués, les systèmes d'automatisation industrielle, l'électronique automobile, l'instrumentation médicale, les infrastructures de télécommunications et l'avionique aérospatiale.
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