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50+ Dhs. 8.21 Dhs. 410.50
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 700 ch
Tension - Alimentation 2,3 V ~ 2,7 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 66-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

IS43R16160F-5TLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance de 256 Mbits

Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 256 Mbit IS43R16160F-5TLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) offre une fiabilité élevée et une grande fiabilité. Conçu pour les applications embarquées exigeantes et critiques, ce dispositif de mémoire volatile garantit des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 700 ps. Il est idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des équipements de télécommunications et des dispositifs médicaux.

Principales caractéristiques et avantages

  • Mémoire haute densité : une capacité de 256 Mbits avec une organisation de 16 Mbits x 16 offre un espace de stockage suffisant pour les applications gourmandes en données.
  • Performances rapides : une fréquence d’horloge de 200 MHz et un temps d’accès de 700 ps garantissent une récupération et un traitement rapides des données.
  • Large plage de fonctionnement : Fonctionne de manière fiable dans une plage de températures allant de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles.
  • Interface standard de l'industrie : interface mémoire parallèle avec technologie DDR SDRAM pour une intégration transparente
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’ encombrement de 66-TSOP II (0,400 pouce, largeur de 10,16 mm) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
  • Alimentation fiable : fonctionne avec une tension d'alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour des conceptions écoénergétiques

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une mémoire à haute fiabilité
  • Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
  • Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
  • Dispositifs de diagnostic et d'imagerie médicale
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Plateformes informatiques embarquées et ordinateurs monocartes

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