ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-6BLI-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.47 | Dhs. 12.47 |
| 15+ | Dhs. 12.10 | Dhs. 181.50 |
| 25+ | Dhs. 11.84 | Dhs. 296.00 |
| 50+ | Dhs. 11.18 | Dhs. 559.00 |
| 100+ | Dhs. 9.86 | Dhs. 986.00 |
| N+ | Dhs. 1.97 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-TFBGA (8x13) |
| RoHS |  |
IS43R16160F-6BLI-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 256 Mbit haute fiabilité
La puce IS43R16160F-6BLI-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une solution de mémoire SDRAM DDR 256 Mbit haut de gamme, conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire volatile haute performance offre un stockage de données fiable grâce à son organisation 16M x 16 et sa fréquence d'horloge de 166 MHz, ce qui le rend idéal pour les systèmes exigeant un accès mémoire rapide et fiable.
Principales caractéristiques et avantages
- Fiabilité de niveau industriel : La plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances constantes même dans des environnements difficiles.
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 700 ps pour une récupération rapide des données.
- Efficacité énergétique optimisée : une tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V réduit la consommation d’énergie dans les systèmes embarqués.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 60-TFBGA (8x13) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
- Technologie DDR SDRAM : L’architecture à double débit de données maximise la bande passante pour les applications exigeantes.
- Interface parallèle : intégration simplifiée avec les microcontrôleurs et les processeurs
Grâce à notre partenariat avec ISSI en tant que distributeur agréé, chaque puce IS43R16160F-6BLI-TR bénéficie d'une traçabilité complète et de garanties d'authenticité. Idéale pour les équipementiers et les sous-traitants qui exigent un approvisionnement juste-à-temps pour leurs lignes de production.
Spécifications techniques
Ressources connexes
Découvrez notre gamme complète de dispositifs semi-conducteurs de mémoire, notamment les solutions DRAM, SRAM, Flash et EEPROM, pour répondre à tous vos besoins de conception.
VisitezHQICKEY pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs haute fiabilité destinés aux applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.
Restez informé des dernières tendances et ressources techniques du secteur grâce à notre blog d'actualités sur les semi-conducteurs .
IS43R16160F-6BLI-TR.pdf