ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-6TL-TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.98 | Dhs. 7.98 |
| 15+ | Dhs. 7.72 | Dhs. 115.80 |
| 25+ | Dhs. 7.55 | Dhs. 188.75 |
| 50+ | Dhs. 7.13 | Dhs. 356.50 |
| 100+ | Dhs. 6.29 | Dhs. 629.00 |
| N+ | Dhs. 1.26 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
IS43R16160F-6TL-TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance de 256 Mbits
La puce IS43R16160F-6TL-TR d'ISSI (Integrated Silicon Solution Inc) est une mémoire SDRAM DDR haute performance de 256 Mbits conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce composant authentique dispose d'une architecture mémoire 16M x 16 avec interface parallèle, garantissant un stockage de données fiable et des temps d'accès rapides pour les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz, un temps de cycle d'écriture de 15 ns et un temps d'accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 256 Mbits organisée en 16 Mbits x 16 pour une gestion efficace des données
- Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) pour des performances stables dans divers environnements
- Conception compacte pour montage en surface : boîtier 66-TSOP II (66-TSSOP 0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimisé pour les circuits imprimés à espace restreint.
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V pour une conception de système écoénergétique
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications idéales
Idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements réseau, les infrastructures de télécommunications, l'électronique automobile et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec la technologie DDR SDRAM. L'interface parallèle assure une intégration parfaite avec les microcontrôleurs et les processeurs.
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Spécifications techniques complètes
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